东芝推出第三代晶体管

为提升设备效率和增加产能做出贡献。

 东芝电子元件及存储装置公司(“东芝”)推出三款650V碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),搭载最新[1] 第三代SiC MOSFET芯片,并采用表面贴装TOLL封装。这些新器件适用于工业设备,如开关式电源和用于光伏发电的功率调节器。“ TW027U65C ”、“ TW048U65C ”和“ TW083U65C ”这三款MOSFET即日起开始批量出货。

新产品是东芝第三代SiC MOSFET中采用通用表面贴装TOLL封装的型号,与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比,器件体积减少80%以上,设备功率密度也得以改善。

TOLL封装还具有比通孔封装前端的寄生阻抗[2],有助于降低开关损耗。作为四端子[3]封装,可将开尔文连接感应驱动的信号源端子。这样可以减少封装内的源极引脚的影响,实现高速开关性能;以TW048U65C为例,其开通损耗和关断损耗分别比现有东芝产品[5]降低约55%和25% [4],有助于降低设备功耗。

东芝将继续扩展产品阵容,为提升设备效率和增加产能做出贡献。

(图文来源: 美国商业资讯

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