根据sammobile消息，在手机通用闪存 （UFS） 行业， 三星提供了最快的解决方案之一，其旗舰产品提供 UFS 4.0，读写速度分别高达 4,200 MB/s 和 2,800 MB/s，以及 176 层 V-NAND 结构。好吧，它在存储市场的直接竞争对手 SK 海力士已经提出了一种更快的存储解决方案。

SK 海力士刚刚宣布推出基于 UFS 4.1 的智能手机存储解决方案，读取速度高达 4,300 MB/s。据该公司称，它提供世界上最高的 321 层 NAND 结构。该公司表示，与上一代产品相比，新解决方案的功率效率提高了 7%，并且厚度减轻了 0.15 毫米。

虽然这些改进看起来微不足道，但在竞争激烈的智能手机市场，每一点都很重要。SK 海力士将提供 512GB 和 1TB 两种容量的 UFS 4.1 产品。该公司表示，它将从明年第一季度开始发货该产品。

SK 海力士总裁兼首席开发官安铉在评论新产品的发布时表示：“ 我们正朝着发展方向前进，通过构建具有 AI 技术优势的产品组合，扩大我们在 NAND 领域作为全栈式 AI 内存提供商的地位。

（来源：sammobile；图片由AI生成，使用OpenAI的DALL·E生成模型）